RFID高频HF ISO/IEC14443协议之一：物理特性|邻近卡|耦合设备|识别卡|频率范围|磁场

1．范圍(wei)

ISO/IEC14443的這一部(bu)分規定(ding)了(le)鄰(lin)近卡（PICC）的物理特性。它應(ying)用于在耦合設備附近操作的ID－1型(xing)識別卡。

ISO/IEC14443的這一部分(fen)應與正在制定的ISO/IEC14443后續部分(fen)關聯(lian)使(shi)用。

2．標準引用

下(xia)列(lie)標(biao)(biao)準(zhun)中所(suo)包含的(de)(de)條文(wen)(wen)，通過在本(ben)標(biao)(biao)準(zhun)中引用(yong)而構成為本(ben)標(biao)(biao)準(zhun)的(de)(de)條文(wen)(wen)。本(ben)標(biao)(biao)準(zhun)出版(ban)時，所(suo)示(shi)版(ban)本(ben)均為有效(xiao)。所(suo)有標(biao)(biao)準(zhun)都會被修訂，使(shi)用(yong)ISO/IEC14443這(zhe)一(yi)部(bu)分的(de)(de)各方(fang)應探(tan)討使(shi)用(yong)下(xia)列(lie)最新版(ban)本(ben)標(biao)(biao)準(zhun)的(de)(de)可能性。ISO和IEC的(de)(de)成員修訂當前有效(xiao)國際標(biao)(biao)準(zhun)的(de)(de)紀(ji)錄。

ISO/IEC7810：1995，識別卡(ka)——物理特性。

RFID高頻HF ISO/IEC14443協議之一：物理特性

RFID高(gao)頻(pin)IC卡USB讀寫(xie)器HR2002

ISO/IEC10373，識別卡——測(ce)試方法。

3．定義，縮略語和符號(hao)

3.1定義

下列定義適用于ISO/IEC14443的這一部分：

3.1.1集成電路Integrated circuit(s)（IC）：

用(yong)于執行處理和/或存儲功能的(de)電(dian)子器件。

3.1.2無觸點的(de)Contactless：

完成與(yu)卡的信號交換和給卡提供能量，而無需使(shi)用(yong)微電元(yuan)件（即：從外部接口設備到卡上的集成電路(lu)之間沒有直接路(lu)徑）。

3.1.3無觸(chu)點(dian)集(ji)成電路卡Contactless integrated circuit(s) card：

一種ID－1型卡類型（如ISO/IEC7810中所規定），在它上面有集(ji)成(cheng)電路，并(bing)且與(yu)集(ji)成(cheng)電路的通信是用無觸點的方式完成(cheng)的。

3.1.4鄰近卡Proximity card（PICC）

一種(zhong)ID－1型卡，在它上面有(you)集成電(dian)路(lu)和(he)耦合工具，并且與集成電(dian)路(lu)的通信是通過與鄰近(jin)耦合設(she)備電(dian)感耦合完成的。

3.1.5鄰近耦合設備Proximity coupling device（PCD）

用電感耦合給(gei)鄰近卡提供能量并控制(zhi)與鄰近卡的數據交換的讀/寫設備(bei)。

RFID高頻（HF）/超高頻（UHF）扎帶標簽XT9687

4．物理特性

4.1一般(ban)特性

鄰近(jin)卡應有(you)根據(ju)ISO/IEC7810中規定(ding)的ID－1型卡的規格的物理特性。

4.2尺寸

鄰近卡的(de)額定尺寸(cun)應是ISO/IEC7810中(zhong)規定的(de)ID－1型(xing)卡的(de)尺寸(cun)。

4.3附加特性(xing)

4.3.1紫外線

ISO/IEC14443的(de)這一部分排除了大于海(hai)平面普通日光中的(de)紫外線的(de)紫外線水(shui)平的(de)防(fang)護需求(qiu)，超過周圍紫外線水(shui)平的(de)防(fang)護應是卡制造商(shang)的(de)責任。

4.3.2X－射線

卡的(de)(de)任何(he)一面曝光(guang)0.1Gy劑量，相當于(yu)100KV的(de)(de)中(zhong)等能量X—射線（每年的(de)(de)累積(ji)劑量），應(ying)不引(yin)起(qi)卡的(de)(de)失(shi)效(xiao)。

注(zhu)1：這相當于人暴(bao)露(lu)其中能接受的最(zui)大值的年累積劑量的近似兩倍。

4.3.3動態彎曲應力

按ISO/IEC10373中描(miao)述的測(ce)試方法(fa)（短邊(bian)和長邊(bian)的最大偏移為hwA=20mm，hwB=10mm）測(ce)試后，鄰(lin)近卡應(ying)能繼續正常(chang)工作。

RFID會展人員智能管理1.jpg

RFID應用于會展簽到（點擊查看方案）

4.3.4動態(tai)扭曲應力(li)

按ISO/IEC10373中描述的測試方法（旋轉角度為15°）測試后，鄰(lin)近卡應能繼續(xu)正常工作。

4.3.5可變磁(ci)場

a）在下表給出(chu)的(de)平均值的(de)磁場內暴(bao)露后(hou)，鄰(lin)近卡(ka)應能繼續正常工作。

f—頻率(lv)（MHz）

磁場(chang)的最高值被限制在平均值的30倍。

b）在12A/m、13.56MHz的(de)磁場中(zhong)暴露后，鄰近卡應能繼(ji)續正常工作。

頻率范圍（MHz）平均(jun)磁(ci)場強度（A/m）平均(jun)時(shi)間(jian)（minutes）

0.3——3.01.636

3.0——304.98/f6

30——3000.1636

頻率范圍（MHz）平均電場強度（V/m）平均時間（minutes）

0.3——3.0 0.6146

3.0——30 1842/f6

30——300 61.46

4.3.6可變電場

在下(xia)表給出的平均(jun)值的電場內(nei)暴露后，鄰近卡(ka)應能繼續正(zheng)常工作。

f—頻率（MHz）

電場的最高值(zhi)被限制在平(ping)均值(zhi)的30倍。

4.3.7靜態(tai)電流

按ISO/IEC10373（IEC1000－4－2：1995）中(zhong)描述的測(ce)試(shi)方法（測(ce)試(shi)電壓為6KV）測(ce)試(shi)后，鄰(lin)近卡應能繼續正常工作。

4.3.8靜態磁場

在640KA/m的靜態磁場內暴(bao)露后，鄰近(jin)卡應能繼(ji)續正(zheng)常工作。

警告：磁(ci)條上的數據(ju)內(nei)容(rong)將被(bei)這樣的磁(ci)場擦(ca)去。

4.3.9工作溫度

在0℃到(dao)50℃的環境溫度范圍內，鄰近卡應能正常工(gong)作。

附(fu)錄A（提示的附(fu)錄）

標準兼(jian)容性和(he)表面(mian)質量

A.1標(biao)準的(de)兼(jian)容性

本標(biao)準(zhun)并不排斥現存(cun)其它(ta)的(de)(de)標(biao)準(zhun)中涉及PICC的(de)(de)部(bu)分(fen)，這里的(de)(de)限制只(zhi)是為了突出(chu)PICC。

A.2用于(yu)印制的表面(mian)質量

如果對印(yin)制(zhi)生產出的(de)(de)PICC有(you)特殊的(de)(de)要求，就應(ying)注(zhu)意保證供印(yin)制(zhi)的(de)(de)區域的(de)(de)表(biao)面質量(liang)能(neng)夠適(shi)應(ying)印(yin)制(zhi)的(de)(de)技術或(huo)采用的(de)(de)打印(yin)機。